ЭЕМ элементтерінің классификациясы
Электрорадиоэлемент – интегралды сұлбаның кристаллымен бірге жасалған сұлбаның бөлігі [таспалы (пленкалы) резистор].
Интегралды сұлба (ИС) компоненті – электрорадиоэлементтің функциясын іс-жүзіне асырады. МОнтаж алдында жеке құрылғы болып саналады [конденсатор].
ИС платасы – ИС компоненттері таспалы түрде орнастырылады және элемент арасаһындағы байланыс іс-жүзіне асырылады.
Жартылай өткізгіштік пластина – жартылайөткізгіштік материалдан жасалған және ИС жартылай өткізгіштік компеһоненттерін жасауға арналған.

Аналогты аспаптар – бұл көрсеткіштері мен шығыс сигналдары өлшенетін шаманың өзгеру функциясында үздіксіз болып келетін аспаптар. Сызықты аналогты және өлшеу аспаптарының идеалданған түрлендіру теңдеуі мына түрде болады  Y = KX, мұндағы Х - өлшенетін шама; Y, К – аспаптың  сәйкес түрлендіру көрсеткіші мен коэффициенті. Көптеген өлшеу аспаптары сызықты болатынын айта кеткен жөн.

Реализация логических элементов
Аннотация: Рассматривается различные технологии реализации логических элементов.
Ключевые слова: умножение, потенциал, единица, транзистор, логический, сложение, замыкание, инвертор, диод, выход,функция, моп транзистор, полевой транзистор
Логические элементы транзисторно-транзисторной логики
Схемы транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ) базируются на биполярных транзисторах npn-структуры. Базовым элементом (рис. 16.1) данной технологии является схема И-НЕ. Логическое умножение осуществляется за счет свойств многоэмиттерного транзистора VT1 [1]. При подаче хотя бы одного логического нуля на эмиттеры этого транзистора замыкается цепь: +5 В, сопротивление R1, переход база-эмиттер, земля на входе. При этом транзисторы VT2 и VT3 остаются закрытыми. Поэтому выходная цепь не замкнута, падения напряжения в ней нет, следовательно, в точке F на выходе схемы будет потенциал источника питания, т.е. логическая единица. Выполняется правило И-НЕ [2]: при подаче хотя бы одного нуля на выходе схемы получили логическую единицу.

Синтез комбинированных схем памяти
Аннотация: Рассматривается принцип синтеза комбинированных схем памяти разного типа.
Ключевые слова: принцип построения, ПЗУ, ОЗУ, массив, адрес, управляющий сигнал, таблица, разрядность, закономерность,дешифратор, ОЗУ данных
Принцип построения комбинированных схем рассмотрим на примере. Допустим, необходимо построить схему, включающую в себяПЗУ информационного объема 4Кх8 на базе ИС информационного объема 1Кх4 каждая и ОЗУ информационного объема 8Кх8 на базе ИС информационного объема 256х1 каждая. Массив поддерживаемых адресов должен быть сплошным: за старшим адресом одного блока следует младший адрес следующего блока. Начальный адрес, поддерживаемый схемой, равен 000016. Схема представлена нарис. 15.1.
Построение схемы начинается с определения начертания ИС ПЗУ. 

Синтез схем памяти
Аннотация: Рассматривается принцип наращивания разрядности и по шине данных, и по шине адреса.
Ключевые слова: разрядность, массив, адрес, исполнитель, функциональная схема
Типичным является случай, когда разрядность микросхемы памяти недостаточна и по ША, и по ШД. Для синтеза схемы памяти необходимое для обеспечения разрядности слова количество ИС объединяется в один блок ( "Построение схем памяти заданной структуры" ). Наращивание информационного объема обеспечивается соединением нужного количества таких блоков по правилам, изложенным в лекции 13. Пример синтеза схемы памяти информационного объема 1Кх8 на базе ИМС 256х1 каждая приведен на рис. 14.1. Здесь для обеспечения возможности хранения 8-разрядных чисел восемь ИС RAM объединяются в один блок: каждая ИМС служит для хранения своего разряда слова [1, 2]. Информационный объем блока составляет 256х8.

Построение схем памяти заданной структуры
Аннотация: Рассматривается принцип наращивания разрядности по шине данных и шине адреса.
Ключевые слова: разрядность, ОЗУ, ПЗУ, место, таблица, конечные
Увеличение разрядности чисел
Как правило, разрядность данных одной ИМС памяти, оказывается недостаточной для хранения слова большой разрядности. Особенно это относится к ОЗУ, имеющим более сложную структуру запоминающего элемента, занимающего большее, нежели у ПЗУ,место на кристалле ИМС и хранящего часто лишь одноразрядные слова ( "Постоянные запоминающие устройства" ). Необходимаяразрядность при этом обеспечивается соединением нескольких однотипных ИМС по следующим правилам [1]:
•    на адресные шины всех ИМС параллельно подается один и тот же код адреса;
•    управляющие сигналы (выбора кристалла и управление записью и чтением) подаются на все ИМС одновременно;
•    каждая ИМС хранит свой разряд слова данных.
На рис. 13.1 приведена схема построения блока ОЗУ информационного объема 1Кх8 на базе ИМС информационного объема 1Кх1 каждая.

Постоянные запоминающие устройства
Аннотация: Рассматривается классификация ПЗУ и организация каждого типа схем.
Ключевые слова: программатор, ПЗУ
Постоянные запоминающие устройства
Постоянные запоминающие устройства (ПЗУ) предназначены для постоянного, энергонезависимого хранения информации.
По способу записи ПЗУ классифицируют [1] следующим образом:
1.    однократно программируемые маской на предприятии-изготовителе;
2.    однократно программируемые пользователем с помощью специальных устройств, называемых программаторами - ППЗУ ;
3.    перепрограммируемые, или репрограммируемые ПЗУ - РПЗУ.
Масочные ПЗУ
Программирование масочных ПЗУ происходит в процессе изготовления БИС. Обычно на кристалле полупроводника вначале создаются все запоминающие элементы (ЗЭ), а затем на заключительных технологических операциях с помощью фотошаблона слоя коммутации реализуются связи между линиями адреса, данных и собственно запоминающим элементом. 

Двоичные числа и двоичная арифметика
Аннотация: Рассматривается двоичная система счисления как частный случай позиционной системы и основные правила двоичной арифметики.
Ключевые слова: вес, целое число, запись, аналогия, выражение, логический, основание, связь, восьмеричная система счисления, обратный код,дополнительный код, прямой, система счисления, сложение, вычитание
Принцип представления чисел в позиционных системах счисления
Позиционной называется система счисления, в которой вес разряда числа определяется его позицией в записи числа [1].
Вспомним нашу привычную десятичную систему счисления, в которой мы с детства производим все расчеты. Уже в начальной школе мы привыкли к терминам "единицы", "десятки", "сотни", "тысячи", "десятые", "сотые", "тысячные" и не задумываемся над тем, что они означают вес разряда, выраженный в виде числа, равного  , где   - целое число. 

Полупроводниковая память ЭВМ
Аннотация: Рассматривается классификация схем памяти и даются основные понятия описания схем памяти.
Ключевые слова: запись, операции, регистровая память, поле, адресация, память, матрица, разрядность, байт, бит, адрес, регистр адреса, объём, контроль, ОЗУ, быстродействие, элементы управления, запоминающее устройство, микропроцессор, оперативное запоминающее устройство, шина, ПЗУ, CAS
Память ЭВМ - это её функциональная часть, предназначенная для записи, хранения и выдачи данных.
Определим ряд терминов.
Запоминающее устройство (ЗУ) - устройство, физически реализующее функцию памяти данных и программ.
Обращение к ЗУ - это запись или считывание.
Быстродействие ЗУ - определяется продолжительностью операции обра-щения к ЗУ.

Счетные схемы ЭВМ. Счетчики и сумматоры
Аннотация: Рассматривается принцип действия счётных схем как основы построения арифметических устройств.
Ключевые слова: кодирование, ПО, счетчик, Синхронный, триггер, логический, выход, инверсный выход, задний фронт сигнала,управляющие, выражение, минимизация, сумматор, анализ, значение, входной, таблицы состояний, активный, таблица, коммутация,JK-триггер, двоичный счетчик, сложение, счётчики
Счетными схемами, лежащими в основе построения арифметических устройств ЭВМ, являются счетчики и сумматоры. Любые, даже самые сложные, вычислительные схемы представляют собой комбинацию счетчиков различных разновидностей исумматоров, реализующих вычисления, как правило, в дополнительном коде (подробно кодирование информации в двоичном коде и соответствующая арифметика представлены в "Заключение" ).